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梁迎新，男，1976年12月生，北京市人，理学博士，高级工程师。“湖北省第三批****”创新人才。2000年7月，毕业于山东大学物理学系物理学（基地）专业，获理学学士学位；2005年7月，毕业于中国科学院物理研究所凝聚态物理专业，获理学博士学位；2006年6月-2007年2月，在荷兰Eindhoven University of Technology应用物理系做博士后，从事STM测量研究；2007年2月-2012年8月，在法国国家科研中心（CNRS）光子学与纳米结构实验室（LPN）任博士后工程师、工程师，从事低噪声低温高电子迁移率晶体管（HEMT）的研发和噪声机理研究；2012年9月回国入职“武汉华工科技”旗下光电企业工作，并入选第三批“湖北省****”创新人才；2023年5月至今，就职于安阳师范学院物理与电气工程学院。在法国CNRS/LPN工作期间，参与了“欧盟CESAR (Cryogenic Electronics for Space Applications and Research) 项目”，首次发现了低温HEMT的低频噪声机理，并且研发出了世界上低频噪声最低的低温HEMT，被CESAR结题报告称为“Significant Results”。该新型晶体管已被欧盟EDELWEISS项目、美国SuperCDMS项目用于暗物质探测等重大空间探测项目，还被欧洲航天局作为高分辨X射线照相机的前置放大器用于“Astro-H”太空望远镜项目。
发表SCI论文27篇，作为前三作者的SCI论文引用率超过1000次；授权1项发明专利，公布1项发明专利。
目前主要从事低噪声低温晶体管的应用研发、低噪声低温电路的设计等工作。
E-mail:**@qq.com
一、讲授课程
物理学专业《力学》课程
二、科研成果
（一）代表性论文：
1. “Current saturation in multiwalled carbon nanotubes by large bias”, Y.X. Liang, Q.H. Li, T.H. Wang*, Appl. Phys. Lett., 84, 3379 (2004).
2. “Low-resistance gas sensors fabricated from multiwalled carbon nanotubes coated with a thin tin oxide layer”, Y.X. Liang, Y.J. Chen, T.H. Wang*, Appl. Phys. Lett., 85, 666 (2004). (被引用177次)
3. “Oxygen sensing characteristics of individual ZnO nanowire transistors”, Q.H. Li, Y.X. Liang, Q. Wan, T.H. Wang*, Appl. Phys. Lett., 85, 6389 (2004). (被引用315次)
4. “In situ synthesis of In2O3 Nanowires with different diameters from indium film”, Y.X. Liang, S.Q. Li, Y.G. Wang, T.H. Wang*, Appl. Phys. Lett., 88, 193119 (2006).
5. “Nonlinear characteristics of the Fowler-Nordheim plot for field emission from In2O3 nanowires grown on InAs substrate”, S.Q. Li, Y.X. Liang, T.H. Wang*, Appl. Phys. Lett., 88, 053107 (2006).
6. “In2O3 nanowires grown from Au/In film on glass” S.Q. Li , Y.X. Liang, C. Wang, X.Q. Fu, T.H. Wang*, Appl. Phys. Lett., 88, 163111 (2006).
7. “Insight into low frequency noise induced by gate leakage current in AlGaAs/GaAs high electron mobility transistors at 4.2 K”, Y.X. Liang*, Q. Dong, M.C. Cheng, U. Gennser, A. Cavanna, Y. Jin*, Appl. Phys. Lett., 99, 113505 (2011).
8. “Input Noise Voltage below 1nV/Hz1/2 at 1 kHz in the HEMTs at 4.2 K”, Y.X. Liang*, Q. Dong, U. Gennser, A. Cavanna, Y. Jin, J, Low Temp. Phys., 167, 632 (2012).
9. “Specific HEMTs for deep cryogenic high-impedance ultra-low low-frequency noise read-out electronics”, Y.X. Liang*, Q. Dong, U. Gennser, A. Cavanna, Y. Jin,J. Phys.: Conf. Ser., 400, 052015 (2012).
10. “Ultra-low noise high electron mobility transistors for high-impedance and low-frequency deep cryogenic readout electronics”, Q. Dong, Y.X. Liang, D. Ferry, A. Cavanna, U. Gennser, L. Couraud, Y. Jin*, Appl. Phys. Lett., 105, 013504 (2014).
（二）国家发明专利
1. 李社强、梁迎新、聂棱、万青、王岩国、邹炳锁、王太宏，低温原位生长In2O3纳米线的方法，专利号：2，授权公告号： CN C。
2. 梁迎新、周旭亮、于红艳、王梦琦、潘教青，一种EML器件封装中芯片与基板电互连的结构及制法, 申请号：8.4， 申请公布号：CNA （2018年11月13日公布，已进入实审）。
三、荣誉、获奖
2013年“湖北省****”创新人才
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